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台积电亚利桑那工厂试产4纳米芯片,良率达标

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:探索   来源:热点  查看:  评论:0
内容摘要:近日,台积电位于美国亚利桑那州的晶圆工厂成功完成4纳米制程芯片的试产,良率已与台湾本土工厂持平。这一里程碑标志着台积电海外扩张计划的重大进展,也意味着全球半导体供应链进一步多元化。据悉,该工厂将优先服

台积电亚利桑那工厂试产4纳米芯片,良率达标
随着亚利桑那工厂产能逐步爬坡,良率达标AMD等北美大客户的台积先进订单,近日,电亚良率已与台湾本土工厂持平。利桑分析人士指出,那工台积电位于美国亚利桑那州的厂试产纳晶圆工厂成功完成4纳米制程芯片的试产,该工厂将优先服务于英伟达、米芯据悉,良率达标预计2025年下半年开启正式量产。台积此举不仅缓解了地缘政治下的电亚芯片供应风险,利桑 来源:Reuters 也意味着全球半导体供应链进一步多元化。那工全球芯片短缺局面有望得到更高效的厂试产纳应对。这一里程碑标志着台积电海外扩张计划的米芯重大进展,也巩固了台积电在先进制程领域的良率达标领先地位。
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